三代半导体材料助功率半导体突破，氮化镓创新获奖，将现投资机会

5月30日第二届全国立异抢先奖赞誉奖励大会当天在北京举办，三代半导体(氮化镓)立异团队等10个团队获得全国立异抢先奖牌！这充裕展示了国度对第三代半导体材料研发的正视，以及氮化镓在我国已经获得较大的冲破。 （原文来自久久自媒体）

（自媒体久久自媒体）

进步半导体材料已上升至国度计谋层面，2025年方针渗透率跨越50%。底层材料与手艺是半导体成长的根蒂科学，在2025中国制造中，离别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块等细分范畴做出了方针规划。在义务方针中提到2025年实如今5G通信、高效能源治理中的国产化率达到50%；在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。

两会上民进中央提案要进一步完美功率半导体财富成长政策;要把功率半导体新材料研发加入国度规划，周全布置，竭力抢占计谋制高点，尽快实现功率半导体芯片自立供给。

功率半导体粗俗细分范畴带动需求爆发式增进，将带动第三代半导体材料应用。将来功率半导体将呈现高机能，高增进，高集中度的成长趋势，从而带动第三代半导体材料应用需求，首要原因有以下几点：1）粗俗新兴行业增量显著；2）自给率仍然偏低，替代空间伟大；3）将来集中产物碎片化将有所改善，高端产物如IGBT、MOSFET产物机能和手艺壁垒同步提拔，粗俗对高端产物的依靠度会随之增加。功率半导体市场规模较大，高机能使令下，新型半导体衬底材料渗透率有望进一步提拔。

第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，极具机能优势。第三代半导体材料是指带隙宽度显着大于Si的宽禁带半导体材料，首要包罗SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料比拟，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等长处，能够知足现代电子手艺对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣前提的新要求。

中国是全球最大的消费国和进口国，跟着粗俗新兴范畴成长加速，国产替代空间显着。将来功率半导体将呈现高机能，高增进，高集中度的成长趋势。

国内基站扶植投资力度扩大。估计2020年5G新建基站有望达到80万座以上，个中大部门将以“宏基站为主，小基站为辅”的组网体式。在射频端高频高速的配景下，第三代半导体材料的渗透率将会大幅提拔，2023年GaNRF在基站中的市场规模将达到5.2亿美元，年复合增进率达到22.8%！5G宏基站使用的PA数量在2019年达到1843.2万个，2020全年有望达到7372.8万个，同比增进有望达到4倍。将来跟着GaN手艺提高和规模化成长，GaNPA渗透率有望络续提拔，估计到2023年市场渗透率将跨越85%。

功率半导体及氮化镓受益于消费电子市场规模的络续扩大，这种扩大包含快充手艺的渗透和汽车电动化以及电子化率的提拔。

国内新能源汽车市场如今是群雄逐鹿的时代，有比亚迪、特斯拉、甚至苹果也传播要生产电动汽车，据称厂子也有建在中国。德国公共收购国轩高科50%的股份杀入电动车队列，这不光仅对中国国内的电动车财富链是伟大的利好，并且对汽车等电子需求是很大的提拔。

中国是全球最大的功率半导体消费市场，将来有望连结高速成长。从增量起原来看，因为粗俗新能源以及汽车电子化水平的提拔，功率半导体的应用范畴已从工业掌握和消费电子拓展至光伏、风电、智能电网、变频家电、新能源汽车等诸多市场，粗俗新型范畴市场的成长情形是功率半导体将来增量的主要包管。第三代半导体材料的普遍应用就有了足够的保障。

市场上已经炒作过一次氮化镓的行情了，那是第一波的纯题材炒作，如今经由市场资金调研和深挖后，只有实质性的公司会有趋势性的机会。当然资金决意趋势下，上一波资金介入较深的还有再次启动的或者，首要照样看人气的群集速度。

1、海特高新002023：在第三代半导体（氮化镓GaN）范畴拥有国际领先、国内一流的手艺；在全球氮化镓芯片专利手艺属于一流梯队，公司专利总共249项，个中过对折是发现专利。5月29日在互动..上回覆投资者提问时透露，公司今朝硅基氮化镓冲破多项要害工艺，成功斥地了硅基氮化镓手艺并小规模量产。

2、三安光电600703：公司电力电子买卖已推出高靠得住性，高功率密度的碳化硅功率二极管及MOSFET及硅基氮化镓功率器件，产物首要应用于新能源汽车，充电桩，光伏逆变器等电源市场；三安集成在微波射频范畴已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路范畴已推出高靠得住性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

3、乾照光电300102：国内最大生产砷化镓的外延片和芯片的公司，上一波资金抱团冲击力度较大，此次要害看人气的群集速度，亲切存眷量能放大和大单扫货速度。

4、有研新材600206：国内最大的砷化镓供给商。

5、赛微电子300456：持续结构第三代半导体焦点材料，控股子公司成功研制8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆

6、台基股份300046：功率半导体细分市场的主要企业，跟踪和研发以Sic（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件手艺。

涉及公司较多，连系市场趋势也会有资金再次抱团的标的显现。随时连系市场在具体决意。